[发明专利]R-T-B系烧结磁体及其制造方法有效
| 申请号： | 201680036852.3 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN107710351B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 佐藤铁兵;国吉太;石井伦太郎;西内武司;野泽宣介 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;B22F1/00;B22F3/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/08;H01F41/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于，其含有R：27.5～34.0质量％、RH：2～10质量％、B：0.89～0.95质量％、Ti：0.1～0.2质量％、Ga：0.3～0.7质量％、Cu：0.07～0.50质量％、Al：0.05～0.50质量％、M(M为Nb和/或Zr)：0～0.3质量％、余量T和不可避免的杂质，满足下述式(1)、(2)和(3)。[T]‑72.3([B]‑0.45[Ti])＞0(1)，([T]‑72.3([B]‑0.45[Ti]))/55.85＜13[Ga]/69.72(2)，[Ga]≥[Cu](3)。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于，其含有：R：27.5～34.0质量％、RH：2～10质量％、B：0.89～0.95质量％、Ti：0.1～0.2质量％、Ga：0.3～0.7质量％、Cu：0.07～0.50质量％、Al：0.05～0.50质量％、M：0～0.3质量％、余量T和不可避免的杂质，R为稀土元素中的至少一种，必须包含Nd和重稀土元素RH，所述重稀土元素RH为Dy、Tb、Gd和Ho中的至少一种，M为Nb和/或Zr，T是过渡金属元素且必须包含Fe，所述R‑T‑B系烧结磁体满足下述式(1)、(2)和(3)：[T]‑72.3([B]‑0.45[Ti])＞0 (1)([T]‑72.3([B]‑0.45[Ti]))/55.85＜13[Ga]/69.72 (2)[Ga]≥[Cu] (3)[T]是用质量％表示的T的含量，[B]是用质量％表示的B的含量，[Ti]是用质量％表示的Ti的含量，[Ga]是用质量％表示的Ga的含量，[Cu]是用质量％表示的Cu的含量。
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