[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法有效
| 申请号： | 201680037656.8 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN107735870B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 石崎顺也;古屋翔吾 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L21/306;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光组件，具有经除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层的表面上的一第一欧姆电极、以及设置于除去部的窗层兼支持基板的表面上的一第二欧姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面上的第一欧姆电极的形成部以外、窗层兼支持基板的表面上除去部中的第二欧姆电极的形成部以外、以及窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。因此，能以对发光部与窗层兼支持基板的较多的区域予以表面粗糙化来提升发光组件的外部量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 组件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光组件，具有一窗层兼支持基板及设置于该窗层兼支持基板的表面上的发光部，该发光部依序包含有至少包含Al的第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，其中该发光组件具有经除去该发光部的除去部、该除去部以外的非除去部、设置于该非除去部的该第一半导体层的表面上的第一欧姆电极、以及设置于该除去部的该窗层兼支持基板的表面上的第二欧姆电极，该第一半导体层的表面以及该发光部的侧面的至少一部分以绝缘保护膜所覆盖，该第一半导体层的表面上的该第一欧姆电极的形成部以外、该窗层兼支持基板的表面上的该除去部中的该第二欧姆电极的形成部以外、以及该窗层兼支持基板的侧面及内面经表面粗糙化。
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