[发明专利]DMOS及CMOS半导体装置的增强集成有效
| 申请号： | 201680037848.9 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107710410B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 许曙明 | 申请（专利权）人： | 酷星技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/336;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种制造功率半导体装置的方法，其包含：形成具有包含第一金属硅化物材料的第一完全硅化栅极的至少一个横向扩散金属氧化物半导体LDMOS结构；及形成与所述LDMOS结构集成于相同衬底上的至少一个互补金属氧化物半导体CMOS结构，所述CMOS结构具有包含第二金属硅化物材料的第二完全硅化栅极。所述第一金属硅化物材料优选地包含硅化钨，且所述第二金属硅化物材料包含除硅化钨以外的材料。 | ||
| 搜索关键词： | dmos cmos 半导体 装置 增强 集成 | ||
【主权项】：
一种功率半导体装置，其包括：至少一个横向扩散金属氧化物半导体LDMOS结构，其具有包括第一金属硅化物材料的第一完全硅化栅极；及至少一个互补金属氧化物半导体CMOS结构，其与所述LDMOS结构集成于相同衬底上，所述CMOS结构具有包括第二金属硅化物材料的第二完全硅化栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
