[发明专利]对多层膜进行蚀刻的方法有效
| 申请号： | 201680038175.9 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN107710391B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 久保卓也;康松润;森本保 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F4/00;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在包含由金属磁性材料形成的层的多层膜的蚀刻中抑制多层膜的剥离和/或开裂。在一个实施方式中，在将等离子体处理装置的处理容器的内部的压力设定为比较高的压力即第1压力的状态下，对包含由金属磁性材料形成的层的多层膜进行蚀刻。接着，在将处理容器内部的压力设定为比第1压力低的第2压力的状态下，对多层膜进一步进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 进行 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种使用等离子体处理装置对被处理体的多层膜进行蚀刻的方法，其中，所述被处理体具有多层膜和设置在所述多层膜上的掩模，该多层膜包含由金属磁性材料形成的层，该方法包括以下工序：第1工序，在将所述等离子体处理装置的处理容器的内部的压力设定为第1压力的状态下，对所述多层膜执行溅射蚀刻；以及第2工序，在将所述处理容器内部的压力设定为比所述第1压力低的第2压力的状态下，对通过所述第1工序进行了处理的所述多层膜执行溅射蚀刻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680038175.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种畜牧业用高效饲料混合装置
- 下一篇：配浆罐自冲洗进口
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
