[发明专利]光电转换元件有效
| 申请号： | 201680038843.8 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107851672B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吉川康志;伊坂隆行;冈本亲扶 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的光电转换元件(1)具备复合钝化膜(6)，所述复合钝化膜(6)设置在与供光入射的第一表面(10a)相反一侧的半导体基板(10)的第二表面(10b)。复合钝化膜(6)包括：具有负的固定电荷的第一钝化膜(14)、和保护第一钝化膜(14)的保护膜(15)。因此，可提高光电转换元件(1)的载流子的收集效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件，其特征在于，具备半导体基板，该半导体基板具有供光入射的第一表面、与所述第一表面相反一侧的第二表面、以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面，所述半导体基板在所述第二表面内包含n型杂质扩散层和p型杂质扩散层，所述光电转换元件还具备：设置在所述第二表面上的复合钝化膜，所述复合钝化膜包括：具有负的固定电荷的第一钝化膜、和保护所述第一钝化膜的保护膜，所述光电转换元件还具备：第一电极，其设置在所述第二表面上并且与所述n型杂质扩散层电连接；和第二电极，其设置在所述第二表面上并且与所述p型杂质扩散层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
