[发明专利]半导体装置

摘要

【课题】在方向偏置施加状态下防止半导体开关开启。【解决手段】包括：半导体开关SW，具有集电极C、发射极E、以及栅电极G；齐纳二极管5A，其一端与集电极C电气连接，其另一端与栅电极G电气连接，并且为N型半导体层与P型半导体层交互地相邻配置的结构；以及齐纳二极管5B，其一端与栅电极G电气连接，其另一端与发射极E电气连接，并且为N型半导体层与P型半导体层交互地相邻配置的结构，其中，齐纳二极管5A以及齐纳二极管5B被构成为：在反向偏置施加状态下，栅电极G的电压不会上升至半导体开关SW的开启阀值电压。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体开关，具有与高电位连接的第一主电极、与低电位连接的第二主电极、以及控制电极；第一齐纳二极管，其一端与所述第一主电极电气连接，其另一端与所述控制电极电气连接，并且为N型半导体层与P型半导体层交互地相邻配置的结构；以及第二齐纳二极管，其一端与所述控制电极电气连接，其另一端与所述第二主电极电气连接，并且为N型半导体层与P型半导体层交互地相邻配置的结构，其中，所述第一齐纳二极管以及所述第二齐纳二极管被构成为：在所述第一主电极与高电位连接，所述第二主电极与低电位连接，并且所述控制电极被输入所述半导体开关的断开信号的反向偏置施加状态下，所述控制电极的电压不会上升至所述半导体开关的开启阀值电压。