[发明专利]用于离子注入器的反射极、阴极、腔壁、狭缝构件以及包括以上部件的离子发生装置

摘要

本发明提供了一种离子注入器的元件和包括该元件的离子发生装置。元件包括构成在半导体装置的制造过程中用于离子注入的离子发生装置的电弧腔的反射极、阴极、腔壁和狭缝构件。在每个元件上设置有包括半碳化物层的涂覆结构，以便使得元件稳定对抗热变形，保护该元件免受磨损，并且防止沉积产物脱落。在不改变设备的离子发生的位置或者设备的变形下，涂覆结构能够使离子注入精确地进行。涂覆结构使得电子均匀地反射到电弧腔内以增大等离子体的均匀性，从而改善离子源气体的电离效率。与现有元件相比，涂覆结构显著地延长了元件的服务寿命。同样还提供了一种包括该元件的离子发生装置。

主权项

1.一种用于离子注入器的反射极，包括：放置在用于离子注入器的离子发生装置的电弧腔内侧、并且与所述离子发生装置的阴极相对的反射部；以及，从所述反射部延伸并且被施加预定电压的端子部，其中，所述反射部具有耐火金属材料作为形成其形状的母材，并且在所述母材的至少一个表面上具有包括半碳化物层的涂覆结构，其中，包括半碳化物层的所述涂覆结构包括耐火金属碳化物结构，其中，具有六边形晶体结构的连续或非连续的层被连续或非连续地层叠在具有至少一个晶体结构的连续或非连续的层上，所述至少一个晶体结构选自包括以下项的组：ε晶体结构和β晶体结构。