[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201680039949.X | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107851619A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 泽本修一;岩部嵩司;高尾胜大;平井盟人;齐藤让一 | 申请（专利权）人： | 青井电子株式会社;三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/28 | 分类号： | H01L23/28;H01L21/56;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 金鲜英,李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，具备岛；设于前述岛的上表面的半导体芯片；配置于前述半导体芯片的外周侧的多个信号端子；配置于前述多个信号端子的外周侧的接地用端子；将前述半导体芯片的多个电极的每一个与前述多个信号端子的每一个电连接的导电性连接构件；以使得前述岛的下表面、前述多个信号端子的下表面和前述接地用端子的下表面露出于外部的方式将前述岛、前述半导体芯片、前述导电性连接构件、前述多个信号端子以及前述接地用端子密封的密封树脂；以及覆膜于前述密封树脂的外周侧面和上表面以及前述接地用端子的一部分的屏蔽金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：岛，由包含单层或多个不同的金属层的金属膜形成；半导体芯片，设于所述岛的上表面，具有相对的一对侧部；多个信号端子，配置于所述半导体芯片的至少所述一对侧部的外周侧，由所述金属膜形成；接地用端子，配置于所述多个信号端子的外周侧，由所述金属膜形成；导电性连接构件，将所述半导体芯片的多个电极的每一个与所述多个信号端子的每一个电连接；密封树脂，以使得所述岛的下表面、所述多个信号端子的下表面和所述接地用端子的下表面露出于外部的方式将所述岛、所述半导体芯片、所述导电性连接构件、所述多个信号端子以及所述接地用端子密封；以及屏蔽金属膜，覆膜于所述密封树脂的外周侧面和上表面以及所述接地用端子的一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青井电子株式会社;三菱电机株式会社，未经青井电子株式会社;三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680039949.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
