[发明专利]清洁组合物及其使用方法在审
申请号: | 201680041416.5 | 申请日: | 2016-07-14 |
公开(公告)号: | CN108138334A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 杉岛泰雄;朴起永;T·多瑞 | 申请(专利权)人: | 富士胶片电子材料美国有限公司 |
主分类号: | C23G1/12 | 分类号: | C23G1/12 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 美国罗*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本公开涉及主要用于在多步骤制造工艺中作为中间步骤的从半导体衬底去除残留物(例如,等离子体蚀刻残留物和/或等离子体灰化残留物)和/或金属氧化物的无腐蚀性清洁组合物。 | ||
搜索关键词: | 清洁组合物 等离子体灰化 等离子体蚀刻 金属氧化物 衬底去除 制造工艺 中间步骤 半导体 | ||
【主权项】:
一种清洁组合物,包含:a)HF;b)至少一种有机溶剂;c)至少一种腐蚀抑制剂,所述至少一种腐蚀抑制剂选自由三唑、芳香族酸酐及其组合组成的组;和d)水。
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