[发明专利]发光元件

摘要

该发光元件设置有：层状结构(20)，通过将由GaN基化合物半导体制成的第一化合物半导体层(21)、活性层(23)和第二化合物半导体层(22)分层来形成该层状结构；模式损耗有效点(54)，其设置在第二化合物半导体层(22)上并且形成模式损耗有效区域(55)，该模式损耗有效区域对振荡模式损耗的增加/减少具有作用；第二电极(32)；第二光反射层(42)；第一光反射层(41)；以及第一电极(31)。在层状结构(20)中，形成有电流注入区域(51)、围绕电流注入区域(51)的非电流注入内部区域(52)以及围绕非电流注入内部区域(52)的非电流注入外部区域(53)。所述模式损耗有效区域(55)的投影图像覆盖非电流注入外部区域(53)的投影图像。

主权项

一种发光元件，包括：(A)堆叠结构，通过堆叠以下层而配置成：第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成并且具有第一面和与该第一面相对的第二面，活性层，由GaN基化合物半导体制成并且与所述第一化合物半导体层的第二面接触，以及第二化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成，所述第二化合物半导体层具有第一面和与该第一面相对的第二面，并且所述第二化合物半导体层在所述第二化合物半导体层的第一面处与所述活性层接触；(B)模式损耗作用部分，设置在所述第二化合物半导体层的第二面上并且构成作用于振荡模式损耗的增加或减少的模式损耗作用区域；(C)第二电极，形成在从所述第二化合物半导体层的第二面到所述模式损耗作用部分的一区域上；(D)第二光反射层，形成在所述第二电极上；(E)第一光反射层，形成在所述第一化合物半导体层的第一面上；以及(F)第一电极，电连接到所述第一化合物半导体层，其中，电流注入区域、围绕所述电流注入区域的电流非注入内侧区域和围绕所述电流非注入内侧区域的电流非注入外侧区域形成在所述堆叠结构上，并且所述模式损耗作用区域的投影图像和所述电流非注入外侧区域的投影图像彼此重叠。