[发明专利]钨前体以及含该钨前体的含钨膜沉积方法在审
| 申请号： | 201680042860.9 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107849076A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 李三根;李种泽;李埈荣;金昊燮 | 申请（专利权）人： | 微化有限公司 |
| 主分类号： | C07F11/00 | 分类号： | C07F11/00;C23C16/455;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钨前体化合物及其制造方法，其中钨前体化合物结合最优选的取代基，以得到热稳定性以及在温和条件下得到高收率的含钨膜。另外，本发明提供一种含钨膜沉积方法。 | ||
| 搜索关键词： | 钨前体 以及 含钨膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种钨前体化合物，其特征在于，由以下化学式1表示：(化学式1)(在所述化学式1中，R1选自C1‑6的烷基、C1‑6的氟烷基或OR组成的群组中；R2为R'被取代的环戊二烯(cyclopentadien)或R'被取代的环庚三烯(cycloheptatriene)；R3为卤素或R'被取代的环戊二烯(cyclopentadien)；R'为选自由R、OR、NR2、SiR3、PR2组成的群组中；R选自由H、CH3、C2H5、C3H7、i‑C3H7、n‑C4H9、t‑C4H9组成的群组中)。
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