[发明专利]用于形成半导体图案的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物有效
| 申请号： | 201680043047.3 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107850841B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李昇勋;李昇炫;尹相雄;李秀珍;崔映喆 | 申请（专利权）人： | 荣昌化学制品株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/038 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于形成半导体图案的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物。更详细地说，提供如下的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物：为了改善现有的负性光致抗蚀剂的物理性质而包含特定化合物，进而相比于现有的负性光致抗蚀剂，在短波长曝光源中具有高透明度、高分辨率，同时具有优秀的轮廓，进而适合用于半导体工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体 图案 krf 激光 用负性光致抗蚀剂 组合 | ||
【主权项】：
一种KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物，其特征在于，包含：5至60重量％的聚合物树脂、0.1至4重量％的以下化学式3表示的化合物、1至10重量％的交联剂、0.1至10重量％的光酸产生剂、0.01至5重量％的酸扩散抑制剂和余量的溶剂；(化学式3)其中，在所述化学式中，R为丙烯酰基。
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