[发明专利]六方晶氮化硼粉末、其制造方法、树脂组合物及树脂片有效
申请号: | 201680043477.5 | 申请日: | 2016-08-19 |
公开(公告)号: | CN107848801B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 大冢雄树;深泽贤 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | C01B21/064 | 分类号: | C01B21/064;C08K3/38;C08L101/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 王磊;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明为一种hBN粉末、该hBN粉末的制造方法、包含该hBN粉末的树脂组合物及树脂片,所述hBN粉末包含六方晶氮化硼(hBN)一次粒子的聚集体,所述六方晶氮化硼粉末的一次粒径小于10μm,一次粒子的平均长径(L |
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搜索关键词: | 六方晶 氮化 粉末 制造 方法 树脂 组合 | ||
【主权项】:
一种六方晶氮化硼粉末,其包含六方晶氮化硼一次粒子的聚集体,所述六方晶氮化硼粉末的一次粒径小于10μm,一次粒子的平均长径L1相对于平均厚度d1之比L1/d1为5.0以上且20以下,BET比表面积小于10m2/g,在被分级为45μm以上且106μm以下的粒径的所述六方晶氮化硼粉末的粒径分布曲线中,在粒径45μm以上且150μm以下的范围内具有1个最大峰,使所述六方晶氮化硼粉末分散到水中,对得到的分散液进行1分钟超声波处理后由下述式(1)计算出的最大峰的峰减少率为10%以上且小于40%,峰减少率=〔(处理前的最大峰高度a)‑(处理后的最大峰高度b)〕/(处理前的最大峰高度a) (1)。
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