[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680043576.3 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107851668B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 中野文树;加藤纯男 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/08;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;侯剑英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具备TFT(101)，该TFT(101)具有：栅极电极(12)；栅极绝缘层(14)，其覆盖栅极电极；金属氧化物层(16A)，其包括沟道区域(16c)、源极接触区域(16s)以及漏极接触区域(16d)；第1电极(18A)，其与源极接触区域接触；绝缘层(22)，其形成在金属氧化物层和第1电极上，具有使金属氧化物层的一部分露出的第1开口部(22p)；以及第2电极(24)，其形成在绝缘层上及包括第1开口部的接触孔内，具有透光性，第2电极(24)在接触孔内与漏极接触区域(16d)接触，漏极接触区域(16d)是金属氧化物层(16A)中的通过接触孔露出的区域(17)的一部分，从基板(11)的法线方向观看时，第2电极(24)不与沟道区域(16c)重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备基板和支撑于上述基板的薄膜晶体管，其特征在于，上述薄膜晶体管具有：栅极电极；栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；金属氧化物层，其配置在上述栅极绝缘层上，包括沟道区域以及分别配置在上述沟道区域的两侧的源极接触区域和漏极接触区域；第1电极，其以与上述金属氧化物层的上述源极接触区域接触的方式配置；绝缘层，其形成在上述金属氧化物层和上述第1电极上，具有使上述金属氧化物层的一部分露出的第1开口部；以及第2电极，其形成在上述绝缘层上以及包括上述第1开口部的接触孔内，具有透光性，上述第2电极在上述接触孔内与上述漏极接触区域接触，上述漏极接触区域是上述金属氧化物层中的通过上述接触孔露出的区域的一部分，在从上述基板的法线方向观看时，上述第2电极不与上述金属氧化物层的上述沟道区域重叠。
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