[发明专利]电解电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201680043963.7 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107851517B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 山口伸幸;福地耕二;冈本浩治;岩佐哲郎;小林孝裕;田中泰央;森冈谅 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/028 | 分类号： | H01G9/028 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘凤岭;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电解电容器，其具有阳极体、形成于阳极体上的电介质层、覆盖电介质层的至少一部分的第1导电性高分子层、以及覆盖第1导电性高分子层的至少一部分的第2导电性高分子层。第1导电性高分子层包括含有第1导电性高分子和第1掺杂剂、且覆盖电介质层的至少一部分的P1层，和在P1层上形成的含有第1硅烷化合物的S层。第2导电性高分子层含有第2导电性高分子、第2掺杂剂以及碱性化合物。其结果是，使电解电容器的ESR得以降低。 | ||
| 搜索关键词： | 电解电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电解电容器，其具有阳极体、形成于所述阳极体上的电介质层、覆盖所述电介质层的至少一部分的第1导电性高分子层、以及覆盖所述第1导电性高分子层的至少一部分的第2导电性高分子层；其中，所述第1导电性高分子层包括：P1层，其含有第1导电性高分子和第1掺杂剂，并覆盖所述电介质层的至少一部分；以及S层，其形成于所述P1层上，并含有第1硅烷化合物；所述第2导电性高分子层含有第2导电性高分子、第2掺杂剂以及第2碱性化合物。
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