[发明专利]以UV辅助方式将材料注入多孔膜有效
| 申请号： | 201680044019.3 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107851558B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | B·S·安德伍德;A·B·玛里克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
描述用于减少图案化基板上的多孔膜经历的收缩的方法。该膜可以是含硅和氢的层，该含硅和氢的层进一步含有碳、氧及氮中的一者或两者。沉积之后，立刻通过同时暴露于相对小的分子前体(例如NH |
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| 搜索关键词： | uv 辅助 方式 材料 注入 多孔 | ||
【主权项】：
一种在图案化基板上处理缝隙填充电介质的方法，所述方法包含以下步骤：在所述图案化基板上形成含硅和氢的膜，其中所述含硅和氢的膜填充所述图案化基板上的缝隙；以及使所述含硅和氢的膜暴露于含氢前体，同时使所述含硅和氢的膜暴露于UV光，其中所述含氢前体进一步包含氮、硅及碳中的至少一者。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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