[发明专利]阵列基板制作方法在审
| 申请号： | 201680044134.0 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108064415A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 洪日 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种阵列基板制作方法，包括在基板(10)上形成电路薄膜晶体管(11)与像素薄膜晶体管(12)；形成覆盖电路薄膜晶体管(11)及像素薄膜晶体管(12)的绝缘层(13)及覆盖绝缘层(13)的平坦层(14)；通过带有半透膜的半色调掩膜(20)图案化所述平坦层(14)，在平坦层(14)上形成像素定义区(141)及孔定义区(142)；蚀刻孔定义区(142)形成与像素薄膜晶体管(12)的源电极(123)和漏电极(124)中之一连通的过孔(143)；在像素定义区(141)上形成电连接到所述像素薄膜晶体管(12)的源电极(123)和漏电极(124)中之一的像素电极(15)；在平坦层(14)上形成支撑层(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括，在基板上形成电路薄膜晶体管与像素薄膜晶体管；其中，所述电路薄膜晶体管及像素薄膜晶体管均包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；形成覆盖所述电路薄膜晶体管及像素薄膜晶体管的绝缘层及覆盖所述绝缘层的平坦层；通过带有半透膜的半色调掩膜图案化所述平坦层，在所述平坦层上形成像素定义区及孔定义区；蚀刻所述孔定义区形成与所述像素薄膜晶体的源电极和漏电极中之一连通的过孔；在像素定义区上形成电连接到所述像素薄膜晶体管的源电极和漏电极中之一的像素电极；在所述平坦层上形成支撑层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
