[发明专利]具有改进的等离子体散布的晶闸管

摘要

提供一种具有发射极短路部的晶闸管，其中，在平行于第一主侧(202)的平面上的正交投影中，由第一电极层(214)与第一发射极层(206)和发射极短路部(228)的电接触部覆盖的接触区域包括呈巷道(250A‑250D)的形状的区域，发射极短路部(228)在巷道中的区域覆盖度小于发射极短路部(228)在接触区域的其余区域中的区域覆盖度，其中，发射极短路部(228)在特定区域中的区域覆盖度是发射极短路部(228)在该特定区域中覆盖的面积与特定区域的面积的比。本发明的晶闸管展现快速接通过程，甚至是在没有复杂的放大门极结构的情况下。

主权项

1.一种晶闸管装置(200)，包括：半导体晶片(301；501)，其具有第一主侧(202)和与所述第一主侧(202)相反的第二主侧(204)；第一电极层(214)，其布置在所述第一主侧(202)上；第二电极层(218)，其布置在所述第一主侧(202)上且与所述第一电极层(214)电隔离；第三电极层(216)，其布置在所述第二主侧(204)上；其中，所述半导体晶片(301；501)包括以下层：第一导电率类型的第一发射极层(206)，所述第一发射极层(206)与所述第一电极层(214)处于电接触；不同于所述第一导电率类型的第二导电率类型的第一基极层(208)，其中，所述第一基极层(208)与所述第二电极层(218)处于电接触，以及其中，所述第一基极层(208)和所述第一发射极层(206)形成第一p-n结；所述第一导电率类型的第二基极层(210)，所述第二基极层(210)和所述第一基极层(208)形成第二p-n结；所述第二导电率类型的第二发射极层(212)，其中，所述第二发射极层(212)与所述第三电极层(216)处于电接触，以及其中，所述第二发射极层(212)和所述第二基极层(210)形成第三p-n结，其中，所述晶闸管装置(200)包括多个离散发射极短路部(228)，各个发射极短路部(228)穿过所述第一发射极层(206)，以使所述第一基极层(208)与所述第一电极层(214)电连接，其中，在平行于所述第一主侧(202)的平面上的正交投影中，由所述第一电极层(214)与所述第一发射极层(206)和所述发射极短路部(228)的电接触部覆盖的接触区域包括呈巷道(350A-350F；550A-550F)的形状的区域，在其中未布置发射极短路部(228)，其特征在于所述巷道(350A-350F；550A-550F)的宽度是在所述接触区域中彼此挨着的发射极短路部(228)的中心之间的平均距离的至少两倍，以及所述巷道(350A-350F；550A-550F)是弯曲的。