[发明专利]用于降低嵌段共聚物膜的缺陷率的方法在审
| 申请号： | 201680044441.9 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107850836A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | X.舍瓦利耶;C.尼科利特;C.纳瓦罗;G.哈德齐奥安努 | 申请（专利权）人： | 阿科玛法国公司;波尔多理工学院;波尔多大学;国家科学研究中心 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 詹承斌,宋莉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于降低嵌段共聚物膜(BCP1)的缺陷率的方法，所述嵌段共聚物膜(BCP1)的底表面与基底(S)的预中性化的表面(N)接触且所述嵌段共聚物膜(BCP1)的顶表面覆盖有顶表面中性化层(TC)，以得到垂直于底界面和顶界面两者的所述嵌段共聚物(BCP1)的纳米畴的取向，所述方法的特征在于为了覆盖嵌段共聚物膜(BCP1)的顶表面而实施的所述顶表面中性化层(TC)由第二前端共聚物(BCP2)构成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 共聚物 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
用于降低嵌段共聚物(BCP1)膜的缺陷率的方法，所述嵌段共聚物(BCP1)膜的下表面与基底(S)的预中性化的表面(N)接触且所述嵌段共聚物(BCP1)膜的上表面覆盖有上表面中性化层(TC)，以使得可得到垂直于下界面和上界面两者的所述嵌段共聚物(BCP1)的纳米畴的取向，所述方法特征在于用于覆盖嵌段共聚物(BCP1)膜的上表面的所述上表面中性化层(TC)由第二前段共聚物(BCP2)组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿科玛法国公司;波尔多理工学院;波尔多大学;国家科学研究中心，未经阿科玛法国公司;波尔多理工学院;波尔多大学;国家科学研究中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680044441.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
