[发明专利]包括多个管芯的堆叠式封装(POP)结构有效
| 申请号： | 201680044487.0 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107851588B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 卫洪博;李在植;金东旭;古仕群 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/538;H01L23/13;H01L23/498;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种堆叠式封装(POP)结构。POP结构包括第一管芯(116)、第二管芯(156)以及光成像电介质(PID)层(124)。PID层设置在第一管芯和第二管芯之间。POP结构还包括从第一管芯穿过PID层到第二管芯的第一导电路径(162、182)。第一导电路径直接延伸穿过PID层的直接在第一管芯和第二管芯之间的第一区域。POP结构还包括从第一管芯穿过PID层到第二管芯的第二导电路径(103)。第二导电路径的特定部分(113)垂直于第一导电路径，并且延伸穿过PID层的不直接在第一管芯和第二管芯之间的第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 管芯 堆叠 封装 pop 结构 | ||
【主权项】：
一种堆叠式封装(POP)结构，包括：第一管芯；第二管芯；设置在所述第一管芯和所述第二管芯之间的光成像电介质(PID)层；从所述第一管芯穿过所述PID层到所述第二管芯的第一导电路径，其中所述第一导电路径直接延伸穿过所述PID层的直接位于所述第一管芯和所述第二管芯之间的第一区域；以及从所述第一管芯穿过所述PID层到所述第二管芯的第二导电路径，其中所述第二导电路径的特定部分垂直于所述第一导电路径，并且延伸穿过所述PID层的不直接在所述第一管芯和所述第二管芯之间的第二区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
