[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
| 申请号： | 201680044960.5 | 申请日： | 2016-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107924834B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 尾辻正幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;崔炳哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的基板处理方法包括：包括：基板保持工序，将基板保持为水平；液膜形成工序，向所述基板的上表面供给处理液，来形成用于覆盖该基板的上表面的处理液的液膜；蒸气环境气体充满工序，使所述处理液的液膜的周围被蒸气环境气体充满，所述蒸气环境气体包含具有比该处理液更低的表面张力的低表面张力液的蒸气；干燥区域形成工序，与所述蒸气环境气体充满工序并行地执行，向所述处理液的液膜吹送包含所述低表面张力液的蒸气的气体，来将处理液的一部分排除，从而在该处理液的液膜形成干燥区域；以及，干燥区域扩大工序，与所述蒸气环境气体充满工序并行地执行，一边使所述基板旋转，一边使所述干燥区域朝向所述基板的外周扩大。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其中，包括：基板保持工序，将基板保持为水平；液膜形成工序，向所述基板的上表面供给处理液，来形成用于覆盖该基板的上表面的处理液的液膜；蒸气环境气体充满工序，使所述处理液的液膜的周围被蒸气环境气体充满，所述蒸气环境气体包含具有比该处理液更低的表面张力的低表面张力液的蒸气；干燥区域形成工序，与所述蒸气环境气体充满工序并行地执行，向所述处理液的液膜吹送包含所述低表面张力液的蒸气的气体，来将处理液的局部排除，从而在该处理液的液膜形成干燥区域；以及，干燥区域扩大工序，与所述蒸气环境气体充满工序并行地执行，一边使所述基板旋转，一边使所述干燥区域朝向所述基板的外周扩大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
