[发明专利]具有不均匀沟槽氧化物层的半导体器件有效
| 申请号： | 201680045220.3 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107851665B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | C·帕克;A·谢比卜;K·特里尔 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;娄晓丹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括在外延层中形成的沟槽以及内衬于所述沟槽的侧壁的氧化物层。所述氧化物层的厚度是不均匀的，使得所述氧化物层朝向所述沟槽的顶部的厚度比其朝向所述沟槽的底部的厚度薄。所述外延层可以具有不均匀的掺杂浓度，其中所述掺杂浓度根据所述氧化物层的所述厚度而变化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不均匀 沟槽 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底层；与所述衬底层相邻的外延层；第一沟槽结构，所述第一沟槽结构形成在所述外延层中并具有底部和侧壁，其中所述第一沟槽结构还包括与源极接触的填充材料；以及氧化物层，所述氧化物层内衬于所述侧壁，所述氧化物层沿着所述侧壁具有不均匀的厚度，其中所述氧化物层在距所述底部第一距离处的厚度小于所述氧化物层在所述底部处的厚度，并且其中所述氧化物层在距所述底部大于所述第一距离的第二距离处的厚度小于所述氧化物层在所述第一距离处的所述厚度。
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