[发明专利]准确的采样锁存器偏移补偿方案有效

专利信息
申请号: 201680045341.8 申请日: 2016-07-05
公开(公告)号: CN107852139B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: M·陈;K·L·阿卡迪亚 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F3/72;G11C7/06
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 周敏;陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 根据一个方面的一种接收机包括:锁存器,其被配置成根据采样时钟信号来对数据信号进行采样;以及多个偏移补偿段,其中这些段中的每一者被耦合到该锁存器的内部节点。这些段中的每一者包括:补偿晶体管;以及与该补偿晶体管串联耦合的步进调节晶体管。该接收机进一步包括:偏移控制器,其被配置成选择性地导通这些补偿晶体管中的一者或多者以减小该锁存器的偏移电压;以及偏置电路,其被配置成向一个或多个该步进调节晶体管中的每一者的栅极施加偏置电压。
搜索关键词: 准确 采样 锁存器 偏移 补偿 方案
【主权项】:
1.一种接收机,包括:锁存器,其被配置成根据采样时钟信号来对数据信号进行采样,其中所述锁存器包括第一输入晶体管和第二输入晶体管;偏移控制器;偏移解码器;偏置电路;第一偏移补偿电路,其包括彼此并联耦合的第一多个偏移补偿段,其中所述第一多个偏移补偿段中的每一者包括:补偿晶体管;以及步进调节晶体管,其中该补偿晶体管的栅极耦合至由所述偏移解码器提供的对应控制位,该补偿晶体管的源极耦合至所述锁存器的所述第一输入晶体管的源极,该补偿晶体管的漏极耦合至该步进调节晶体管的源极,该步进调节晶体管的栅极耦合至由所述偏置电路提供的偏置电压,并且该步进调节晶体管的漏极耦合至所述锁存器的所述第一输入晶体管的漏极;第二偏移补偿电路,其包括彼此并联耦合的第二多个偏移补偿段,其中所述第二多个偏移补偿段中的每一者包括:补偿晶体管;以及步进调节晶体管,其中该补偿晶体管的栅极耦合至由所述偏移解码器提供的对应控制位,该补偿晶体管的源极耦合至所述锁存器的所述第二输入晶体管的源极,该补偿晶体管的漏极耦合至该步进调节晶体管的源极,该步进调节晶体管的栅极耦合至由所述偏置电路提供的偏置电压,并且该步进调节晶体管的漏极耦合至所述锁存器的所述第二输入晶体管的漏极,其中所述偏移控制器被配置成向所述偏移解码器提供第一码和符号位以产生用于选择性地导通所述第一多个偏移补偿段和所述第二多个偏移补偿段中的一个或多个补偿晶体管的控制位,其中所述偏移控制器被进一步配置成将指示k个不同电流设置中的一个电流设置的第二码输出至所述偏置电路,k为整数,并且所述偏置电路被配置成将所述偏置电压设为与所述第二码中所指示的所述k个不同电流设置中的所述一个电流设置相对应的电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680045341.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top