[发明专利]静态随机存取存储器单元的存储单元布置及相关设计结构有效
| 申请号： | 201680045489.1 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN107924694B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | A·弗里奇;A·罗森菲尔德;R·索特;D·文德尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可以提供SRAM单元组的存储单元布置，其中在每个组中，多个SRAM单元通过至少一个公共局部位线连接到局部读放大器的输入。所述放大器的输出连接到共享全局位线。全局位线连接到预充电电路，并且所述预充电电路适于在读取数据之前用可编程预充电电压对所述全局位线预充电。所述预充电电路包括：限幅电路，所述限幅电路包括连接到全局位线的预充电调节器电路以用可编程预充电电压对所述全局位线进行预充电，以及评估和转换电路，其连接到所述预充电调节器电路和所述全局位线来补偿全局位线的漏电流而不改变其电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 单元 存储 布置 相关 设计 结构 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器(SRAM)单元的存储单元布置，包括：一个或多个SRAM单元组，其中所述一个或多个SRAM单元组中的每一个包括两个或两个以上SRAM单元，所述SRAM单元通过至少一个公共局部位线连接到局部读放大器的输入，并且其中所述局部读放大器的输出连接到共享全局位线，所述共享全局位线连接到预充电电路，所述预充电电路适于在读取数据之前利用可编程预充电电压对所述共享全局位线进行预充电，所述预充电电路包括限幅电路，所述限幅电路包括：预充电调节器电路，所述预充电调节器电路连接到所述共享全局位线以利用所述可编程预充电电压预充电所述共享全局位线；和评估和转换电路，连接到所述预充电调节器电路和所述共享全局位线，以补偿所述共享全局位线的泄漏电流而不改变所述全局位线的电压电平。
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