[发明专利]半导体装置、半导体集成电路以及负载驱动装置

摘要

存在无法在二维扩展地配置的晶体管的整个区域中使电流密度均匀的缺点。在并列地配置有多个具有漏极、源极和栅极的晶体管(1)的晶体管层之上，并排设置有连接各晶体管(1)的漏极的作为输入侧布线层的金属布线层(10)以及连接各晶体管的源极的作为输出侧布线层的金属布线层(11)。还具备多个通孔(2、3)，该多个通孔(2、3)将作为输入侧布线层的金属布线层(10)与各晶体管的漏极连接，并且将作为输出侧布线层的金属布线层(11)与各晶体管的源极连接。而且，使多个通孔(2、3)的电阻值沿着输入侧布线层以及输出侧布线层的排列方向改变。由此，能够使二维扩展地配置的晶体管的电流密度均匀。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：晶体管层，其二维状地配置有具有输入部、输出部和控制部的多个晶体管；多个布线层，其用于将所述多个晶体管的所述输入部电连接到输入端子，将所述多个晶体管的所述输出部电连接到输出端子；以及多个层间连接导体，其分别将所述多个布线层以及所述晶体管层之间连接，所述多个布线层具有第1布线层，所述第1布线层沿着规定的排列方向排列有连接到所述输入端子的至少1个输入侧布线层以及连接到所述输出端子的至少1个输出侧布线层，所述多个层间连接导体的电阻值根据所述排列方向的位置而相互不同。