[发明专利]用于降低光电子产率和/或二次电子产率的方法和装置有效
| 申请号： | 201680046529.4 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN108260349B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 阿明·阿卜杜勒凡德 | 申请（专利权）人： | 敦提大学 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00;B23K26/0622;B23K26/082;B23K26/352;B23K103/04;B23K103/10;B23K103/12;B23K103/14;B23K103/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种降低靶标(10)的表面的光电子产率(PEY)和/或二次电子产率(SEY)的方法，所述方法包括向靶标(10)的表面施加激光辐射以在表面上产生周期性结构排列，其中所述激光辐射包括包含一系列激光脉冲的脉冲激光辐射并且所述脉冲的功率密度在0.01TW/cm |
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| 搜索关键词： | 用于 降低 光电子 二次电子 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种降低表面的光电子产率(PEY)和/或二次电子产率(SEY)的方法，所述方法包括：向所述表面施加激光辐射以在所述表面上产生周期性结构排列，其中所述激光辐射包括包含一系列激光脉冲的脉冲激光辐射并且所述脉冲的功率密度在0.01TW/cm2至3TW/cm2、任选0.1TW/cm2至3TW/cm2的范围内。
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