[发明专利]制造碳化硅功率半导体器件的边缘终端的方法和碳化硅功率半导体器件

摘要

提供用于制造用于具有中心区域（10）和边缘区域（12）的碳化硅功率半导体器件的边缘终端结构的方法。执行以下的制造步骤：a）提供n掺杂碳化硅衬底（1）；b）使碳化硅n‑掺杂漂移层（2）在衬底上外延地生长，碳化硅n‑掺杂漂移层（2）具有比衬底（1）更低的掺杂浓度；c）通过将第二离子一直注入至最大终端层深度（32），且在第一主侧（14）上退火来创建至少一个p掺杂终端层（3）；d）形成具有深度范围（44）的掺杂还原层（4），所述掺杂还原层（4）包含至少一个掺杂还原区域（46），其中，掺杂还原层（4）的掺杂浓度最小值（40）的深度比最大终端层深度（32）更大，其中，对于每个掺杂还原区域（46）的创建：以注入能量将第一离子注入在漂移层（2）中至少在边缘区域（12）中，其中，第一离子和至少一种注入能量被选择，使得掺杂还原层深度范围（44）小于10µm；e）使掺杂还原层（4）退火，其中，执行步骤d）和步骤e），使得在掺杂还原层（4）中，降低漂移层（2）的掺杂浓度。

主权项

一种用于制造用于碳化硅功率半导体器件的边缘终端结构的方法，所述碳化硅功率半导体器件在第一主侧（14）和与所述第一主侧（14）相反的第二主侧（16）之间具有中心区域（10）和边缘区域（12），其中，执行以下的制造步骤：a）提供具有作为一个主侧的所述第二主侧（16）的n掺杂碳化硅衬底（1）；b）使碳化硅n‑掺杂漂移层（2）在与所述第二主侧（16）相反的侧上外延地生长，所述碳化硅n‑掺杂漂移层（2）具有比所述衬底（1）更低的掺杂浓度，其中，与在其处布置所述碳化硅衬底（1）的这样的侧相反的所述漂移层（2）的所述侧形成所述第一主侧（14）；c）通过将第二离子一直注入至最大终端层深度（32），并且在所述第一主侧（14）上退火来创建至少一个p掺杂终端层（3）；d）形成具有掺杂还原层深度范围（44）的（n‑‑）掺杂式掺杂还原层（46），所述掺杂还原层深度范围（44）处于所述第一主侧（14）下方的所述掺杂还原层（4）的掺杂浓度最小值（40）的深度一直到最大掺杂还原层深度（42）之间，其中，所述掺杂还原层（4）的掺杂浓度最小值（40）的深度比所述最大终端层深度（32）更大，所述掺杂还原层（4）包含至少一个掺杂还原区域（46），其中，对于每个掺杂还原区域（46）的创建：以注入能量将第一离子注入在所述第一主侧（14）上的至少所述边缘区域（12）中，其中，将所述第一离子注入掺杂还原区域深度范围（464）中，所述掺杂还原区域深度范围（464）处于所述第一主侧（14）下方的所述掺杂还原区域（460）的掺杂浓度最小值的深度一直到最大掺杂还原区域深度（462）之间，其中，选择所述第一离子和所述至少一种注入能量，使得所述掺杂还原层深度范围（44）小于10 μm，e）使所述掺杂还原层（4）退火，其中，执行步骤d），使得在所述掺杂还原层（4）中，降低所述漂移层（2）的所述掺杂浓度。