[发明专利]可调的远程分解

摘要

描述了相对于第二暴露部分选择性蚀刻图案化基板的暴露部分的方法。蚀刻工艺是气相蚀刻，该气相蚀刻使用在与等离子体流出物组合之前于任何等离子体中并未被激发的氧化前驱物，所述等离子体流出物是在来自惰性前驱物的远程等离子体中形成。等离子体流出物可在无等离子体远程腔室区域和/或在无等离子体基板处理区域中与氧化前驱物组合。等离子体流出物的组合激发氧化前驱物并且从该图案化基板的暴露部分移除材料。蚀刻速率是可控制的且可选择的，这是通过调整氧化前驱物的流率或是未被激发/等离子体激发的流率比例来达成的。

主权项

一种蚀刻图案化基板的方法，所述方法包括以下步骤：将所述图案化基板放置在基板处理腔室的基板处理区域中，其中所述图案化基板包括第一暴露部分与第二暴露部分；使第一惰性气体与第一氧化前驱物流进流体地耦接至所述基板处理区域的远程等离子体区域，同时在所述远程等离子体区域中形成远程等离子体以产生等离子体流出物；将所述等离子体流出物与第二惰性气体和第二氧化前驱物组合；以及用所述等离子体流出物、所述第二惰性气体与所述第二氧化前驱物的组合蚀刻所述第一暴露部分，其中所述第一暴露部分以第一蚀刻速率蚀刻，且所述第二暴露部分以第二蚀刻速率蚀刻，所述第二蚀刻速率低于所述第一蚀刻速率。