[发明专利]VNAND拉伸厚TEOS氧化物有效
| 申请号： | 201680047305.5 | 申请日： | 2016-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107980172B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | M·W·蒋;P·P·杰哈;韩新海;金柏涵;金相赫;朱明勋;朴亨珍;金伦宽;孙镇哲;S·格纳纳威路;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;M·K·莎莱扎;J·K·福斯特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L21/768;H01L21/02;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。 | ||
| 搜索关键词： | vnand 拉伸 teos 氧化物 | ||
【主权项】：
一种用于处理基板的方法，包括以下步骤：提供具有栅堆栈的基板，所述栅堆栈沉积在所述基板上；使用第一RF功率及第一处理气体在所述栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，所述第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体；及使用第二RF功率及第二处理气体在所述第一氧化层上形成第二氧化层，所述第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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