[发明专利]量测方法、辐射源、量测设备及器件制造方法有效
| 申请号： | 201680047436.3 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN107924118B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | A·O·波利亚科夫;理查德·金塔尼利亚;V·Y·班尼恩;C·A·维索尔伦 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/84 | 分类号： | G03F1/84;G03F7/20;H05G2/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过至少第一次用由逆康普顿散射而产生的EUV辐射(304)来照射通过光刻术制成或用于光刻术中的目标结构(T)来检查所述结构。检测(312)在反射或透射中由所述目标结构散射的辐射(308)，且通过处理器(340)基于所检测的散射辐射来计算所述目标结构的属性。所述辐射可以具有在0.1纳米至125纳米的EUV范围内的第一波长。通过使用同一源且控制电子能量，可以用在所述EUV范围内的不同波长和/或用较短(x射线)波长和/或用较长(UV光、可见光)波长来照射所述结构多次。通过在逆康普顿散射源中快速切换电子能量，可以每秒多次进行用不同波长的照射。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 辐射源 设备 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种测量结构的属性的方法，所述方法包括：至少第一次用辐射来照射所述结构；检测与所述结构相互作用之后的所述辐射；和基于所述辐射的属性确定所述结构的属性，其中所述辐射由逆康普顿散射产生，所述辐射具有在0.1纳米至125纳米的范围内的第一波长。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
