[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680047624.6 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107924844B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 八田浩一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具有：第一绝缘膜形成工序，在该工序中，在具有由栅极覆盖呈鳍状隆起的源极和漏极的构造的晶体管上形成第一绝缘膜；牺牲膜形成工序，在该工序中，形成牺牲膜；硬掩模图案形成工序，在该工序中，形成具有所希望的图案的硬掩模膜；第一开口形成工序，在该工序中，形成第一开口；第二绝缘膜形成工序，在该工序中，在所述第一开口形成材料与所述第一绝缘膜不同的第二绝缘膜；第二开口形成工序，其在所述第二绝缘膜形成工序之后，通过去除所述牺牲膜，至少在将所述源极的局部与布线层电连接的位置或者将所述源极的局部所述漏极与布线层电连接的位置形成第二开口；以及接触插件形成工序，在该工序中，在所述第二开口形成接触插件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其中，具有：第一绝缘膜形成工序，在该工序中，以覆盖晶体管的栅极的表面的至少局部的方式形成第一绝缘膜，所述晶体管具有由所述栅极覆盖呈鳍状隆起的源极和漏极的构造；牺牲膜形成工序，在该工序中，在所述第一绝缘膜之上形成牺牲膜；硬掩模图案形成工序，在该工序中，在所述牺牲膜之上形成具有所希望的图案的硬掩模膜；第一开口形成工序，在该工序中，通过将所述硬掩模膜作为蚀刻掩模，去除所述牺牲膜的局部，来形成第一开口；第二绝缘膜形成工序，在该工序中，在所述第一开口形成材料与所述第一绝缘膜不同的第二绝缘膜；第二开口形成工序，其在所述第二绝缘膜形成工序之后，通过去除所述牺牲膜，而至少在将所述源极的局部与布线层电连接的位置或者在将所述漏极与布线层电连接的位置形成第二开口；以及接触插件形成工序，在该工序中，在所述第二开口形成接触插件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680047624.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
