[发明专利]用于制造光电子组件的方法

摘要

提出一种用于制造光电子组件(10)的方法，其中借助第一掩模结构(2)定向地沉积金属化部(3)，并且随后将第一钝化材料(4a)非定向地沉积到金属化部(3)上。此外，将凹部(A)引入到半导体本体(1)中，使得凹部伸展直至n型半导体区域(1b)，以及将第二钝化材料(4b)施加到凹部(A)的侧面(A1)上。此外，施加、结构化和钝化n型接触材料(5)。在另一方法步骤中，将接触结构(7)设置到半导体本体(1)上并且与n型接触材料(5)和金属化部(5)电连接，其中接触结构(7)和半导体本体(1)用囊封件(8)囊封和覆盖。

主权项

1.一种用于制造光电子组件(10)的方法，所述方法包括如下步骤：A)提供半导体本体(1)，所述半导体本体包括p型半导体区域(1a)和n型半导体区域(1b)，B)借助第一掩模结构(2)将金属化部(3)定向地沉积到所述p型半导体区域(1a)上，其中所述第一掩模结构(2)在背离所述半导体本体(1)的一侧(2a)上与在朝向所述半导体本体(1)的一侧(2b)上相比更宽地成形，并且随后将第一钝化材料(4a)非定向地沉积到所述金属化部(3)上，C)将所述第一掩模结构(2)剥离，并且将凹部(A)引入到所述半导体本体(1)中，使得所述凹部(A)伸展直至所述n型半导体区域(1b)中，D)将第二钝化材料(4b)施加到所述凹部(A)的侧面(A1)上，使得所述第二钝化材料(4b)也覆盖所述第一钝化材料(4a)的侧面(41a)，E)借助所述第一钝化材料(4a)上的第二掩模结构(22)，将n型接触材料(5)面状地定向地施加到所述凹部(A)中和施加到所述第一钝化材料(4a)上，所述第二掩模结构在背离所述半导体本体(1)的一侧(22a)上与在朝向所述半导体本体(1)的一侧(22b)上相比更宽地成形，并且将第三钝化材料(4c)随后面状地非定向地施加到所述n型接触材料(5)上，F)剥离所述第二掩模结构(22)，G)将接触结构(7)施加到所述半导体本体(1)上，并且将所述接触结构(7)与所述n型接触材料(5)和所述金属化部(3)电连接，其中每个接触结构(7)仅与所述n型接触材料(5)或所述金属化部(3)连接，H)对所述接触结构(7)围绕浇注并且用囊封件(8)覆盖所述半导体本体(1)。