[发明专利]在单一衬底上包括多个纳米结构梯度的纳米结构化衬底的制造有效
| 申请号： | 201680048204.X | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN108025909B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | Z·刁;J-H·迪克斯;J·P·施帕茨 | 申请（专利权）人： | 马克斯-普朗克科学促进学会 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y10/00;B82Y40/00;G02B1/118;H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造纳米结构化衬底的方法，所述纳米结构化衬底包括由突出式纳米结构、尤其是纳米柱所组成的阵列，所述方法至少包括下述步骤：a)提供初级衬底；b)在所述初级衬底上沉积至少一个层，所述至少一个层由能够借助于反应离子蚀刻(RIE)去除的材料形成，所述层包括预定的厚度梯度；c)在步骤b)中所沉积的梯度化层上沉积纳米结构化蚀刻掩模；d)借助于反应离子蚀刻(RIE)在步骤b)中所沉积的梯度化层中形成突出式结构、尤其是纳米柱，其中，在同一衬底上同时形成所述突出式结构的几何参数的至少2个、优选为3个预定的连续梯度。更特别地，所述几何参数选自以下组，该组包括所述突出式结构的高度、直径和间距。本发明的另一方面涉及一种纳米结构化衬底，所述纳米结构化衬底包括能够通过上述方法获得的突出式纳米结构的阵列。在所述突出式纳米结构中的一优选的实施例中，每个突出式纳米结构同时代表所述突出式纳米结构的高度、直径和间距的3个连续梯度的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 单一 衬底 包括 纳米 结构 梯度 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造纳米结构化衬底的方法，所述纳米结构化衬底包括由突出式纳米结构、尤其是纳米柱所组成的阵列，所述方法至少包括下述步骤：a)提供初级衬底；b)在所述初级衬底上沉积至少一个层，所述至少一个层由能够借助于反应离子蚀刻(RIE)去除的材料形成，所述层包括预定的厚度梯度；c)在步骤b)中所沉积的梯度化层上沉积纳米结构化蚀刻掩模；d)借助于反应离子蚀刻(RIE)在步骤b)中所沉积的梯度化层中形成突出式结构、尤其是纳米柱，其中，在同一衬底上同时形成所述突出式结构的几何参数的至少2个、优选为3个预定的连续梯度。
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