[发明专利]具有二维分布的场效应晶体管单元的场效应晶体管在审
| 申请号： | 201680048540.4 | 申请日： | 2016-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN107924936A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | C·M·莱顿;A·J·别卢尼斯;I·罗德里格斯 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/812;H01L29/423 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管(FET)，所述场效应晶体管具有多个FET单元，所述多个FET单元具有被布置在衬底的表面上的多个源极焊盘、多个漏极焊盘以及多个栅电极；所述FET单元中的每一个FET单元具有所述栅电极的其中一个相应的栅电极，所述相应的栅电极被布置在所述源极焊盘的其中一个源极焊盘与所述漏极焊盘的其中一个漏极焊盘之间；被连接至所述FET单元中的每一个FET单元的栅电极的栅极触点；被连接至所述FET单元中的每一个FET单元的漏极焊盘的漏极触点；被连接至所述FET单元中的每一个FET单元的源极焊盘的源极触点。所述FET单元在表面上呈二维阵列布置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 二维 分布 场效应 晶体管 单元 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管(FET)，包括：具有被布置在衬底的表面上的多个源极焊盘、多个漏极焊盘以及多个栅电极的多个FET单元；所述FET单元中的每一个FET单元具有所述栅电极的其中一个相应的栅电极，所述相应的栅电极被布置在所述源极焊盘的其中一个源极焊盘与所述漏极焊盘的其中一个漏极焊盘之间；被连接至所述FET单元中的每一个FET单元的栅电极的栅极触点；被连接至所述FET单元中的每一个FET单元的漏极焊盘的漏极触点；被连接至所述FET单元中的每一个FET单元的源极焊盘的源极触点；其中，所述FET单元在表面上呈二维阵列布置。
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