[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201680048848.9 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN107949917A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 日吉透;筑野孝 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种碳化硅半导体器件包括与第一主表面接触并且具有第一导电类型的漂移层；位于漂移层中、与第一主表面接触并且具有第二导电类型的本体区；以及具有第二导电类型并且连接到本体区的底部的凸出部。一种制造方法包括在碳化硅衬底的漂移层中，通过离子注入形成本体区、凸出部、JTE区和至少一个保护环区，每一个具有第二导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相反地定位的第二主表面，所述碳化硅衬底包括：第一杂质区，所述第一杂质区与所述第一主表面接触并且具有第一导电类型，第二杂质区，所述第二杂质区位于所述第一杂质区中，与所述第一主表面接触，并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，第三杂质区，所述第三杂质区具有所述第二导电类型并且连接到所述第二杂质区的底部，电场缓和区，所述电场缓和区具有所述第二导电类型，与所述第二杂质区相邻地定位，并且具有比所述第三杂质区中的杂质浓度低的杂质浓度，以及至少一个保护环区，所述至少一个保护环区具有所述第二导电类型，通过所述电场缓和区介于所述第二杂质区和所述至少一个保护环区之间而与所述第二杂质区相反地定位，并且具有比所述第三杂质区中的杂质浓度低的杂质浓度，所述碳化硅半导体器件进一步包括：氧化膜，所述氧化膜位于所述碳化硅衬底的所述第一主表面上并且具有暴露所述第二杂质区的开口；第一电极，所述第一电极通过所述开口电连接到所述第二杂质区；以及第二电极，所述第二电极电连接到所述碳化硅衬底的所述第二主表面。
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