[发明专利]蚀刻液组合物以及蚀刻方法有效
| 申请号： | 201680049206.0 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN108028198B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 石崎隼郎;大宫大辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社ADEKA |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/306;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的目的在于，提供一种蚀刻液组合物以及包括使用该蚀刻液的步骤的蚀刻方法，所述蚀刻液组合物能够对具有包含钛系层以及铜系层的层叠体的被蚀刻材料的钛系层以及铜系层一并进行蚀刻，即使连续使用，也能得到所期望的剖面形状的细线。为了达成上述目的，本发明提供一种蚀刻液组合物以及包括使用该蚀刻液组合物的步骤的蚀刻方法，所述蚀刻液组合物包含：(A)过氧化氢0.1～15质量％；(B)氟化物离子供给源0.01～1质量％；(C)以有机磺酸换算计，由下述通式(I)表示的有机磺酸化合物或其盐0.1～20质量％；(D)由唑系化合物以及结构中具有含有一个以上的氮原子且具有三个双键的六元杂环的化合物中选择的至少一种化合物0.01～5质量％以及(E)水。 |
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| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻液组合物，其用于对位于基体上并包含至少一种钛系层以及至少一种铜系层的层叠体的钛系层和铜系层一并进行蚀刻，所述蚀刻液组合物包含：(A)过氧化氢0.1～15质量％；(B)氟化物离子供给源0.01～1质量％；(C)以有机磺酸换算计，由下述通式(I)表示的有机磺酸或其盐0.1～20质量％；(D)由唑系化合物以及结构中具有含有一个以上的氮原子且具有三个双键的六元杂环的化合物中选择的至少一种化合物0.01～5质量％；以及(E)水，
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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