[发明专利]光电变换装置有效
| 申请号： | 201680049221.5 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN108028287B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 仲山彻 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;B82Y30/00;H01L31/074 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
具备p/n结合的两个半导体层(7A、7B)作为光电变换层(1)，两个半导体层(7A、7B)当中至少一方的半导体层(7A、7B)是量子点集成膜(11)，并且该量子点集成膜(11)具备能级不同的两层以上的量子点层(7A、7B)。在量子点集成膜(11)是p型时，在靠近p/n结面(8)的一方配置有价电子带的能级B |
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| 搜索关键词： | 光电 变换 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光电变换装置，其特征在于，具备p/n结合的两个半导体层作为光电变换层，所述两个半导体层当中至少一方的所述半导体层是量子点集成膜，并且该量子点集成膜具备能级不同的两层以上的量子点层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
