[发明专利]离子选择电极、其制作方法和电极盒有效
| 申请号： | 201680049256.9 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107923866B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 石毛悠;沃尔夫冈·舒曼;斯特凡·克林克 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | G01N27/333 | 分类号： | G01N27/333 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种具有高电位稳定性、电位再现性的固体接触型离子选择电极。其具有以第一族元素的离子、第二族元素的离子、水合氢离子或铵离子作为对象离子的离子感应膜101；离子吸储物质层102；以及导电性电极103，离子吸储物质层102中包含的离子吸储物质吸储有对象离子，离子吸储物质为结构式A |
||
| 搜索关键词： | 离子 选择 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种离子选择电极，其具有：以第一族元素的离子、第二族元素的离子、水合氢离子或铵离子作为对象离子的离子感应膜；离子吸储物质层；以及导电性电极，所述离子吸储物质层中包含的离子吸储物质吸储有所述对象离子，所述离子吸储物质为结构式AaMx[M’(CN)6]y□z·kH2O所表示的普鲁士蓝类似物，A为一种或多种的第一族元素、第二族元素、水合氢或铵，M和M’为一种或多种的过渡金属，M或M’包含镍、钴、铜、银、镉中的至少一种，□为多孔配位高分子的空位，x、y大于0，a、z、k为0以上的数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立高新技术，未经株式会社日立高新技术许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680049256.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
