[发明专利]薄膜晶体管、显示器设备及薄膜晶体管的制备方法

摘要

提供一种薄膜晶体管、其制作方法及显示器设备。薄膜晶体管包括基底(101)、半导体层(10)、源极(20)、漏极(30)和栅极(50)、绝缘层(40)和多个悬空电极(60)。半导体层(10)形成在基底(101)上，半导体层(10)的两端分别形成有第一掺杂区域(11)，源极(20)与漏极(30)分别对应设置在第一掺杂区(11)域上，栅极(50)设置在源极(20)与漏极(30)之间。栅极(50)与漏极(30)之间的半导体层(10)形成偏移区域，偏移区域上间隔地形成有多个第二掺杂区域(12)。绝缘层(40)遮盖在偏移区域未形成有第二掺杂区域(12)的区域，多个悬空电极(60)对应设置于绝缘层(40)。第二掺杂区域的设置，有利于改善薄膜晶体管的电流驱动能力。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括基底(101)、半导体层(10)、绝缘层(40)、源极(20)、漏极(30)和栅极(50)，所述半导体层(10)设置在所述基底(101)上，其特征在于，所述半导体层(10)的两端分别形成有一第一掺杂区域(11)，所述源极(20)与所述漏极(30)分别对应设置在两个所述第一掺杂区域(11)上，所述半导体层(10)的两个所述第一掺杂区域(11)之间具有间隔设置的多个第二掺杂区域(12)；所述栅极(50)设置在所述源极(20)与所述漏极(30)之间，且所述栅极(50)与所述漏极(30)的距离较所述栅极(50)与所述源极(20)的距离远，从而所述栅极(50)与所述漏极(30)之间的半导体层(10)形成偏移区域，所述多个第二掺杂区域(12)位于所述偏移区域；所薄膜晶体管还包括多个悬空电极(60)，所述绝缘层(40)遮盖在所述偏移区域未形成有所述多个第二掺杂区域(12)的区域，所述多个悬空电极(60)对应设置于该绝缘层(40)上，所述栅极(50)与相邻的一所述悬空电极(60)之间具有一个所述第二掺杂区域(12)，剩余的所述悬空电极(60)中的每相邻两个之间具有一个所述第二掺杂区域(12)。