[发明专利]SiC复合基板的制造方法和半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201680049584.9 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN108140540B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 久保田芳宏;秋山昌次;长泽弘幸 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 杜丽利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供SiC复合基板的制造方法，其为在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其中，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用物理的或化学的手段沉积多晶SiC，制作在保持基板21上将单晶SiC层12和多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15，然后以物理方式和/或化学方式将上述保持基板21除去。根据本发明，采用简便的制造方法得到具有结晶性良好的单晶SiC层的SiC复合基板。 | ||
| 搜索关键词： | sic 复合 制造 方法 半导体 | ||
【主权项】：
SiC复合基板的制造方法，其为在多晶SiC基板上具有单晶SiC层的SiC复合基板的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板的单面设置单晶SiC层而制作了单晶SiC层负载体后，在该单晶SiC层上采用物理的或化学的手段沉积多晶SiC，制作在保持基板上层叠有单晶SiC层和多晶SiC基板的SiC层叠体，然后将所述保持基板以物理方式和/或化学方式除去。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
