[发明专利]光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201680050394.9 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107949808B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 樋田匠;牧野嶋高史;佐藤隆;越后雅敏 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C07D311/78;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本实施方式提供一种光刻用下层膜形成材料，其含有下述式(1)所示的化合物或包含源自下述式(1)所示的化合物的结构单元的树脂中的至少任一种。式(1)中，R |
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| 搜索关键词： | 光刻 下层 形成 材料 组合 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻用下层膜形成材料，其含有下述式(1)所示的化合物或包含源自下述式(1)所示的化合物的结构单元的树脂中的至少任一种，式(1)中，R1为碳数1～60的2n价基团或单键，R2各自独立地为卤素原子、碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基、碳数2～10的烯基、碳数1～30的烷氧基、硫醇基、羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团，在同一萘环或苯环中可以相同也可以不同，此处，至少1个R2为羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团，n为1～4的整数，n为2以上的整数时，n个[]内的结构单元的结构式可以相同也可以不同，X表示氧原子、硫原子或未桥接，m2各自独立地为0～7的整数，其中，至少1个m2为1～7的整数，q各自独立地为0或1。
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