[发明专利]耐蚀刻性优秀的I线用负性光致抗蚀剂组合物

摘要

本发明涉及本发明涉及耐蚀刻性优秀的I线用负性光致抗蚀剂组合物，更详细地说，本发明提供I线用负性光致抗蚀剂组合物比于现有的I线用负性光致抗蚀剂体现优秀的耐蚀刻性，因此适合于半导体工艺。

主权项

一种I线用负性光致抗蚀剂组合物，其特征在于，包含：选自由以下化学式1至化学式5表示的化合物的群组中的至少一种：(化学式1)(化学式2)(化学式3)(化学式4)(化学式5)在所述化学式中，R相同或不同，各自独立地选自以下群组中的一种：丙烯酰基(Acryloyl)、芳基(Allyl)、3‑乙氧基丙烯酰(3‑Etoxyacryloyl)、二甲基硅烷烯丙基(Dimethylsilaneallyl)、甲基丙烯酸(Methylacryl)、反式‑3‑(苯甲酰基)丙烯酸(trans‑3‑(Benzoyl)acryl)、3‑(2‑呋喃基)丙烯酸(3‑(2furyl)acryl)、4‑(苄氧基)苯甲基(4‑(benzyloxy)benzyl)。