[发明专利]制备含多孔α碳化硅的本体的方法和由该方法制备的本体有效
| 申请号： | 201680050562.4 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN108025984B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 珍妮特·哈瓦姆;特伦斯·埃德温·华纳;托马斯·沃尔夫 | 申请（专利权）人： | 赛丹思科大学;迪耐斯公司 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573;B01J35/04;C04B41/50;F01N3/022;F23J15/02;B01D46/24 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 丹麦*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备含有多孔α‑SiC的成形体的方法和由该方法所制备的含有多孔α‑SiC的成形体，该多孔的含有α‑SiC的成形体包括高于60％的浓度的他形晶体。含有多孔α‑SiC的成形体显示出提供高度机械稳定性的特征微观结构。该产品被用作柴油颗粒过滤器和/或用作催化剂载体。一种制备多孔碳化硅产品的方法，所述方法包括：‑制备包括硅、碳、至少一种硅化物形成和碳化物形成试剂(例如Al、Zn或Mg)、以及至少一种合金形成试剂(Cu)的混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 多孔 碳化硅 本体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有整体结构的多孔碳化硅产品，所述多孔碳化硅产品包括高于60％的浓度的他形晶体。
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