[发明专利]用于3D存储器器件中的垂直晶体管的均匀阈值电压的外延源极区

摘要

在衬底之上形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体。穿过交替堆叠体形成存储器堆叠体结构。形成背侧沟槽，并且用导电层替换牺牲材料层。在沟槽中形成绝缘间隔体之后，从背侧沟槽下面的半导体部分生长外延基座结构。通过在外延生长期间和/或之后将掺杂剂引入到外延基座结构和下面的半导体部分中来形成源极区。可替代地，可以与形成存储器开口同时地形成背侧沟槽。可以与在每个存储器开口的底部处形成外延沟道部分同时地形成外延基座结构。在背侧沟槽中形成并后续移除虚设沟槽填充结构之后，通过将掺杂剂引入到外延基座结构中来形成源极区。

主权项

一种三维存储器器件，包括：绝缘层和导电层的交替堆叠体，并且位于衬底之上；存储器堆叠体结构，所述存储器堆叠体结构延伸穿过所述交替堆叠体；以及源极区，所述源极区包括位于所述衬底中的衬底源极部分，以及在所述衬底源极部分的上面且与所述衬底源极部分外延对准的外延基座源极部分。