[发明专利]集成电路以及用于补偿集成电路中的电路老化的方法有效
| 申请号： | 201680052168.4 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN108027403B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | M·R·卡考伊;S-H·J·胡;M·陈;J·S·伊布拉希莫维奇;C·奥永;S·A·多布雷;N·图希扎德;N·陈;M·W·奥勒姆 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/317 | 分类号： | G01R31/317;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路通过用老化传感器测量老化并基于所测得的老化来控制供电电压以补偿电路老化。针对老化传感器的操作环境可被设置为降低非老化效应对所测得的老化的影响。例如，操作环境可使用温度反相电压。作为初始已老化测量和初始未老化测量之间的差异的初始老化测量值可被存储在集成电路上。核心功率降低控制器可使用所测得的老化及所存储的初始老化测量值来更新性能传感器目标值，并随后使用经更新的性能传感器目标值来执行自适应电压缩放。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 以及 用于 补偿 中的 电路 老化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于补偿集成电路中的电路老化的方法，所述方法包括：为布置在所述集成电路上的老化传感器设置操作环境；测量所述操作环境处的所述老化传感器以确定所测得的老化；使用所测得的老化和初始老化测量值来更新性能传感器的目标值；以及使用经更新的目标值来执行自适应电压缩放。
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