[发明专利]用于减少基板附近的电场影响的单件式处理配件屏蔽件有效
| 申请号： | 201680052197.0 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN108028184B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 威廉·约翰森;希兰库玛·萨万戴亚 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供处理配件屏蔽件和包含所述处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，经配置于处理腔室中使用的单件式处理配件屏蔽件用于处理具有给定直径的基板，所述单件式处理配件屏蔽件包括：具有上部和下部的圆柱体；设置在所述上部内的环形传热沟道；和盖环部，所述盖环部从所述下部径向向内延伸且具有从所述盖环部的底表面延伸的环形腿部，其中所述环形腿部经配置而与沉积环界面连接以在所述底表面和所述沉积环之间形成迂曲路径。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 附近 电场 影响 单件式 处理 配件 屏蔽 | ||
【主权项】：
1.一种单件式处理配件屏蔽件，所述单件式处理配件屏蔽件经配置在处理腔室中使用而用于处理具有给定直径的基板，所述单件式处理配件屏蔽件包括：圆柱体，所述圆柱体具有上部和下部；环形传热沟道，所述环形传热沟道设置在所述上部内；和盖环部，所述盖环部从所述下部径向向内延伸且具有从所述盖环部的底表面延伸的环形腿部，其中所述环形腿部经配置而与沉积环界面连接以在所述底表面和所述沉积环之间形成迂曲路径。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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