[发明专利]半导体装置及控制装置在审

专利信息
申请号: 201680052381.5 申请日: 2016-09-15
公开(公告)号: CN108028645A 公开(公告)日: 2018-05-11
发明(设计)人: 冢本克马 申请(专利权)人: 株式会社自动网络技术研究所;住友电装株式会社;住友电气工业株式会社
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08;H03K17/00;H03K17/687
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 高培培;车文
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种场效应晶体管不会由于流过寄生二极管的电流而烧坏的半导体装置。构成为包括:场效应晶体管(3),具有寄生二极管(10);温度检测器(5),对寄生二极管(10)的温度进行检测;以及控制部(6),判定由温度检测器(5)检测到的温度是否为第一温度以上,在判定为是第一温度以上的情况下,使场效应晶体管(3)接通。
搜索关键词: 半导体 装置 控制
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:场效应晶体管,具有寄生二极管;温度检测器,对所述寄生二极管的温度进行检测;以及控制部,判定由该温度检测器检测到的温度是否为第一温度以上,在判定为是第一温度以上的情况下,使所述场效应晶体管接通。
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