[发明专利]红外LED有效
申请号: | 201680052696.X | 申请日: | 2016-08-05 |
公开(公告)号: | CN108028296B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | D·富尔曼;M·莫伊泽尔 | 申请(专利权)人: | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/30;H01L33/04 |
代理公司: | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国海*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种具有单片的和堆叠状的结构(10)的红外LED,其具有:n掺杂的包括GaAs的基础衬底(14)、上包覆层(16)、用于产生红外辐射的有源层(18)、上包覆层(20)、电流分配层(24)以及上接通层(26),其中,所述层以所提及的顺序布置,其中,所述上包覆层(20)与所述电流分配层(24)之间布置有第一隧道二极管(22),并且其中,所述电流分配层(24)主要包括n掺杂的含Ga的具有大于1%的Ga含量的层。 | ||
搜索关键词: | 红外 led | ||
【主权项】:
1.一种红外LED,其具有单片的和堆叠状的结构(10),所述红外LED具有:/n包括GaAs的n掺杂的基础衬底(14)、下包覆层(16)、用于产生红外辐射的有源层(18)、上包覆层(20)、电流分配层(24)以及上接通层(26),其中,这些层以所提及的顺序布置,/n其特征在于,/n其中,所述上接通层外延地生长,并且在所述上包覆层(20)与所述电流分配层(24)之间布置有第一隧道二极管(22),其中,所述电流分配层(24)主要具有n掺杂的含Ga的层,所述n掺杂的含Ga的层具有大于1%的Ga含量,并且所述电流分配层(24)具有层电阻R
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