[发明专利]制造经涂布的基底的方法、经涂布的基底及其用途、以及用于制造经涂布的基底的系统在审

专利信息
申请号: 201680052863.0 申请日: 2016-07-13
公开(公告)号: CN108367310A 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 马蒂亚斯·科赫 申请(专利权)人: HEC高端涂料有限公司
主分类号: B05D1/00 分类号: B05D1/00;C23C14/02;C23C16/50;C23C28/00;B05D3/00;B05D3/14;C23C14/58;C23C14/20;C23C14/16
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;洪欣
地址: 德国阿*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及用于制造经涂布的非金属基质,尤其是塑料基质的方法;所述方法包括使用应用系统来应用至少一层金属层,使用至少一种有机硅化合物处理所得到的金属层,尤其是使用等离子聚合进行处理,以形成聚硅氧烷层,对于所述聚硅氧烷层使用等离子发生器进行等离子加工和/或进行电晕处理,以及将外涂层、尤其是透明外涂层应用至经处理的聚硅氧烷层。本发明还涉及用于制造经涂布的金属基质的方法;所述方法包括使用应用系统来应用至少一层金属层,使用至少一种有机硅化合物处理金属层,尤其是使用等离子聚合进行处理,以形成聚硅氧烷层,对于所述聚硅氧烷层使用等离子生成器进行等离子加工和/或进行电晕处理,并将外涂层、尤其是透明外涂层应用至经处理的聚硅氧烷层。另外,本发明涉及根据所公开的方法可获得的或能够获得的非金属基质,以及根据所公开的方法可获得的或能够获得的金属基质。最后本发明涉及用于应用金属层的应用系统以及所公开的基质的用途。
搜索关键词: 聚硅氧烷层 金属层 外涂层 基底 有机硅化合物 等离子加工 等离子聚合 非金属基质 电晕处理 金属基质 使用应用 应用 制造 等离子发生器 等离子生成器 塑料基质 应用金属 应用系统 透明 基质
【主权项】:
1.用于制造经涂布的非金属基质,尤其是经涂布的塑料基质的方法,其包括a)提供非金属基质,尤其是塑料基质,所述基质具有能够在至少一部分区域被涂布的至少一个表面,b)提供用于应用金属层的应用系统,尤其是真空气相沉积系统或溅射系统,c)提供至少一个等离子发生器和/或至少一个电晕系统,尤其是在所述用于应用金属层的应用系统中提供,或作为其组件,所述应用系统例如真空气相沉积系统或溅射系统,d)适当时,对于所述非金属基质,尤其是塑料基质,或者对于所述非金属基质的可涂布表面,尤其是塑料基质的可涂布表面,使用等离子发生器进行等离子处理和/或进行电晕处理,e)适当时,使用至少一种有机硅化合物处理步骤a)或d)获得的非金属基质,尤其是塑料基质,或者处理所述非金属基质的可涂布表面,尤其是所述塑料基质的可涂布表面,尤其是通过等离子聚合的方式进行处理,由此形成聚硅氧烷层,f)适当时,对于步骤e)的聚硅氧烷层使用等离子发生器进行等离子处理和/或进行电晕处理,g)适当时,将至少一层底涂层应用至步骤a)或d)的非金属基质上,尤其是步骤a)或d)的塑料基质上,或者应用至步骤a)或d)的非金属基质的可涂布表面上,尤其是应用至步骤a)或d)的塑料基质的可涂布表面上,或者应用至步骤e)或f)的聚硅氧烷层上,h)适当时,对于步骤g)的底涂层使用等离子发生器进行等离子处理和/或进行电晕处理,i)适当时,使用至少一种有机硅化合物处理步骤g)或h)获得的底涂层,尤其是通过等离子聚合的方式进行处理,由此形成聚硅氧烷层,j)适当时,对于步骤i)的聚硅氧烷层使用等离子发生器进行等离子处理和/或进行电晕处理,k)使用所述应用系统,尤其是通过气相沉积和/或溅射技术的方式,将至少一层金属层应用至步骤a)或d)的非金属基质上,尤其是步骤a)或d)的塑料基质上,或者应用至步骤a)或d)的非金属基质的可涂布表面上,尤其是步骤a)或d)的塑料基质的可涂布表面上,或者应用至步骤e)或f)的聚硅氧烷层上,或者应用至步骤g)或h)的底涂层上,或者应用至步骤i)或j)的聚硅氧烷层上,所述金属层含有第一金属或由第一金属组成,所述第一金属选自铝、银、金、铅、钒、锰、镁、铁、钴、镍、铜、铬、钯、钼、钨、铂、钛、锆和锌,尤其是铝,或者所述金属层含有第一金属合金或由第一金属合金组成,所述第一金属合金选自黄铜,青铜,钢、尤其是特殊钢或不锈钢,以及铝、镁和钛的合金,l)适当时,对于步骤k)的金属层使用等离子发生器进行等离子处理和/或进行电晕处理,m)使用至少一种有机硅化合物处理步骤k)或l)获得的金属层,尤其是通过等离子聚合的方式进行处理,由此形成聚硅氧烷层,n)对于步骤m)的聚硅氧烷层使用等离子发生器进行等离子处理和/或进行电晕处理,以及o)将外涂层,尤其是透明外涂层应用至步骤n)的经处理的聚硅氧烷层上。
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