[发明专利]基底基板、基底基板的制造方法和第13族氮化物结晶的制造方法有效
| 申请号： | 201680052907.X | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN108138361B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 平尾崇行;岩井真;今井克宏;吉野隆史 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/208;C30B29/38;C30B19/12 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 作为本发明的一个实施方式的基底基板(14)在蓝宝石基板(15)上具备第13族氮化物的晶种层(16)。在晶种层(16)的主面以条纹状重复出现凸部(16a)和凹部(16b)，凸部(16a)的阶差(ha)为0.3～40μm，凸部(16a)的宽度(wa)为5～100μm，凹部(16b)的厚度(tb)为2μm以上，凹部(16b)的宽度(wb)为50～500μm。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 制造 方法 13 氮化物 结晶 | ||
【主权项】：
一种基底基板，其包括第13族氮化物的晶种层，在所述晶种层的主面以条纹状重复出现凸部和凹部，所述凸部的阶差为0.3～40μm，所述凸部的宽度为5～100μm，所述凹部的厚度为2μm以上，所述凹部的宽度为50～500μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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